本文摘要：DC/DC电源控制器的MOSFET自由选择是一个简单的过程。
DC/DC电源控制器的MOSFET自由选择是一个简单的过程。意味着考虑到MOSFET的额定电压和电流并足以自由选择到适合的MOSFET。要想要让MOSFET保持在规定范围以内，必需在较低栅极电荷和低导通电阻之间获得均衡。
在多阻抗电源系统中，这种情况不会显得更为简单。 DC/DC开关电源因其高效率而普遍应用于现代许多电子系统中。例如，同时享有一个低外侧FET和较低外侧FET的升压实时电源稳压器，如图1右图。这两个FET不会根据控制器设置的频率展开电源操作者，目的超过理想的输入电压。
升压稳压器的频率方程式如下： 图1：升压实时电源稳压器原理图 FET可能会构建到与控制器一样的同一块芯片中，从而构建一种尤为非常简单的解决方案。但为了获取低电流能力及（或）超过更高效率，FET必须一直为控制器的外部元件，这样可以构建仅次于风扇能力，因为它让FET物理隔绝于控制器，并且享有仅次于的FET自由选择灵活性。缺点是FET自由选择过程更为简单，原因是要考虑到的因素有很多。
一个常见问题是为什么不想这种10AFET也用作我的10A设计呢？答案是这种10A额定电流并非限于于所有设计。自由选择FET时必须考虑到的因素还包括额定电压、环境温度、电源频率、控制器驱动能力和风扇组件面积。关键问题是，如果功耗过低且风扇严重不足，则FET可能会短路发生爆炸。
用户可以利用PCB/风扇组件ThetaJA或者热敏电阻、FET功耗和环境温度估计某个FET的结温，具体方法如下： 其他损耗构成的原因还包括输入寄生电容、门损耗，以及较低外侧FET3组时间期间导电带给的体二极管损耗，但在本文中将主要辩论AC和DC损耗。 图2中提示部分表明了这种情况。根据公式4，减少这种损耗的一种方法是延长电源的升至时间和叛时间。
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